罗姆碳化硅芯片助力丰田bZ5续航再升级

罗姆：碳化硅 MOSFET 裸芯片获丰田 bZ5 电动汽车牵引逆变器应用

在新能源汽车领域，技术的革新如同春风拂面，让整个行业焕发出勃勃生机。近，日本半导体制造商罗姆 ROHM 就带来了一则令人振奋的消息，其第四代 SiC MOSFET 裸芯片已成功应用于丰田汽车公司面向中国市场的全新跨界纯电动汽车 bZ5 的牵引逆变器中。

bZ5 作为一款备受瞩目的纯电 SUV，其低配版本续航能力可达 550km，高配版本更是实现了 630km 的续航表现。这优异的续航能力，离不开罗姆功率解决方案的强力支持。罗姆与中方合作伙伴正海集团的合资企业上海海姆希科半导体有限公司量产供货的功率模块，以 SiC MOSFET 为核心，为 bZ5 的续航里程和性能提供了重要保障。

碳化硅 MOSFET 器件在开关过程中不会产生拖尾电流，可高速运行并降低开关损耗，低导通电阻和小型芯片尺寸还能实现较低的电容和栅极电荷。罗姆一直致力于碳化硅功率元器件的研发，其第四代 SiC MOSFET 裸芯片更是优势明显。与传统产品相比，在不牺牲短路耐受时间的前提下，成功将导通电阻降低约 40%，不仅支持以往的 18V 驱动电压，还支持 15V 驱动电压，具有高可靠性，应用性也更强。

罗姆不仅在技术研发上不断突破，在产能扩张方面也毫不松懈。计划今年完成第五代 SiC MOSFET 的生产线建设，并提前布局第六代和第七代产品的市场投放规划。未来，罗姆还将持续推动赋能汽车等行业的低碳技术，实现社会的可持续发展。

丰田 bZ5 的成功应用，只是罗姆碳化硅 MOSFET 裸芯片众多应用场景中的一个缩影。相信在未来，随着技术的不断进步，碳化硅 MOSFET 将在更多领域发挥重要作用，为我们的生活带来更多便利和惊喜。